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微納加工工藝的基本流程
點(diǎn)擊量：5690 日期：2020-03-20 編輯：硅時(shí)代
微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：
表面加工基本流程如下：
第一步：沉積犧牲層材料；
第二步：光刻定義犧牲層圖形；
第三步：刻蝕完成犧牲層圖形轉(zhuǎn)移；
第四步： 沉積結(jié)構(gòu)材料；
第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；
第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；
第七步：釋放去除犧牲層，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作；
體加工基本流程如下：
第一步：沉積保護(hù)層材料；
第二步：光刻定義保護(hù)圖形；
第三步：刻蝕完成保護(hù)層圖形轉(zhuǎn)移；
第四步：腐蝕硅襯底，制作三維立體腔結(jié)構(gòu)
第五步：去除保護(hù)層材料；
以上出自蘇州硅時(shí)代，專注微納加工、微納代加工；行業(yè)經(jīng)驗(yàn)20年，有其它技術(shù)問(wèn)題歡迎討論咨詢。
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