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  • ICP刻蝕的基本要求
    ICP刻蝕的基本要求

    2023-07-24

    (1)負(fù)載效應(yīng) 刻蝕中還存在負(fù)載效應(yīng),即發(fā)生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)??涛g面積很大時(shí),因?yàn)闅怏w傳輸受限和刻蝕氣體耗盡...

  • ALD原子層沉積技術(shù)
    ALD原子層沉積技術(shù)

    2023-07-24

    原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在...

  • 干涉光刻
    干涉光刻

    2023-07-24

    干涉光刻又叫全息光刻,是一種特殊的光刻手段,其特點(diǎn)是可以通過簡單的設(shè)備即可獲得百納米周期性結(jié)構(gòu)。下面我們簡單介紹什么是干涉光刻、干涉光刻的一...

  • 微納加工中EMI濺射鍍膜的特點(diǎn)
    微納加工中EMI濺射鍍膜的特點(diǎn)

    2023-02-21

    微納加工中的EMI:是電磁波會(huì)與電子元件作用,產(chǎn)生干擾現(xiàn)象。它有以下幾個(gè)特點(diǎn): A、如果國內(nèi)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的話,價(jià)格相比較更低。 B、更加環(huán)保...

  • 微納加工中晶圓的基本原料是什么?
    微納加工中晶圓的基本原料是什么?

    2023-02-01

    微納加工中的硅從石英沙精練出來,對硅元素加以純化便晶圓,它的純度可以達(dá)到百分之九十九,接下來是將些純硅制成硅晶棒,成為制造積體電路的石英半導(dǎo)...

  • 微納技術(shù)制造的未來發(fā)展與趨勢
    微納技術(shù)制造的未來發(fā)展與趨勢

    2022-12-15

    制造業(yè)的發(fā)展,目前對加工精度的的要求越來越高,微納制造伴隨著應(yīng)運(yùn)而生。截至到目前為止,微納技術(shù)在國防軍工及民用產(chǎn)品已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,特別體現(xiàn)...

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