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  • 芯片封裝新突破:2.5D技術(shù)引領(lǐng)性能飛躍
    芯片封裝新突破:2.5D技術(shù)引領(lǐng)性能飛躍

    2024-10-15

    封裝,是半導(dǎo)體制造流程中不可或缺的一環(huán)。它就像一道堅(jiān)固的屏障,保護(hù)著脆弱的電子晶片免受溫度、濕度、灰塵等外界因素的侵害。隨著制程技術(shù)的不斷進(jìn)...

  • 【微納加工】直寫光刻——FPD領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)革新
    【微納加工】直寫光刻——FPD領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)革新

    2024-10-14

    直寫光刻技術(shù)作為FPD制造領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,其在ITO陽極圖形化工藝和有機(jī)發(fā)光層蒸鍍工藝中的應(yīng)用,不僅推動(dòng)了OLED顯示技術(shù)的快速發(fā)展,也為...

  • 快速退火工藝(二)
    快速退火工藝(二)

    2023-11-17

    鹵素?zé)艄芡嘶穑℉alogen Lamp Annealing)是一種用燈管作為熱源的退火方式,其特點(diǎn)如下: 高溫:鹵素?zé)艄芡嘶鸬臏囟瓤梢赃_(dá)到1300攝氏度以上,可以快...

  • 快速退火工藝(一)
    快速退火工藝(一)

    2023-11-17

    快速熱退火是用各種熱輻照源,直接照射在樣品表面上,迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時(shí)間內(nèi)完成退火。它與常規(guī)熱退火相比,有下列優(yōu)點(diǎn)...

  • 離子鍍膜
    離子鍍膜

    2023-10-16

    離子鍍是一種在真空環(huán)境中,利用高壓氣體放電將鍍料蒸發(fā)后離子化,沉積在產(chǎn)品表面形成一層鍍膜的工藝。  離子鍍工藝出現(xiàn)于上世紀(jì)70年代,是一種...

  • 常規(guī)ICP刻蝕的操作流程
    常規(guī)ICP刻蝕的操作流程

    2023-10-13

    (一)裝片:1,在Pump 界面點(diǎn)擊左邊Pump 圖標(biāo)下Stop,切換至Vent ,120s 后打開 Loadlock;2,涂抹真空油脂:根據(jù)片子尺寸大小,在托盤上涂抹...

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